如何看待台积电 2nm 制程研发取得突破，将切入 GAA 技术？

这是给摩尔定律续命的必然结果。给摩尔定律续命的道路上目前有两个阻碍，一是短沟道效应，二是量子隧穿。全环绕栅(gate-all-around)是FinFET技术的演进，是一种用来抑制短沟道效应的技术。要理解短沟道效应，先来看看传统MOS