如何看待台积电 2nm 制程研发取得突破,将切入 GAA 技术?

这是给摩尔定律续命的必然结果。给摩尔定律续命的道路上目前有两个阻碍,一是短沟道效应,二是量子隧穿。全环绕栅(gate-all-around)是FinFET技术的演进,是一种用来抑制短沟道效应的技术。要理解短沟道效应,先来看看传统MOS

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